Theo Samsung Electronics, chip 3 nm được xây dựng trên cơ sở công nghệ Gate-All-Around (GAA) - công nghệ mới giúp cải thiện hiệu suất đồng thời giảm diện tích chip và tiêu thụ điện năng.

Cụ thể, chip 3 nm có thể hoạt động trong môi trường điện áp thấp dưới 0,75 V, cho phép giảm mức tiêu thụ điện năng tổng thể xuống 50%, giảm kích thước lên đến 35% trong khi cung cấp hiệu suất cao hơn 30% so với công nghệ FinFET hiện có.

Samsung Electronics đã đề xuất mục tiêu bắt đầu sản xuất hàng loạt 3 nm bằng cách áp dụng công nghệ GAA vào nửa đầu năm nay nhằm đi trước công ty TSMC của Đài Loan (Trung Quốc).

Trước đó, TSMC thông báo sẽ sản xuất hàng loạt chip 3 nm vào nửa cuối năm nay. Trong khi đó, Samsung Electronics cho biết, công nghệ chip 2 nm của họ đang trong giai đoạn phát triển ban đầu, với kế hoạch sản xuất hàng loạt vào năm 2025.

Theo báo cáo từ TrendForce, trong quý đầu tiên của năm nay, TSMC chiếm 53,5% thị trường đúc chip toàn cầu, tiếp theo là Samsung với 16,3%.

Vào năm 2019, Samsung đã công bố kế hoạch đầu tư khổng lồ trị giá 171 nghìn tỷ Won (khoảng 151 tỷ USD) vào lĩnh vực sản xuất bộ vi xử lý (logic chip) và xưởng sản xuất chip vào năm 2030, mở rộng vai trò tiên phong của mình ngoài lĩnh vực kinh doanh bộ nhớ.

Tháng trước, Samsung đã tiết lộ kế hoạch đầu tư bổ sung vào lĩnh vực kinh doanh chip, cam kết củng cố vị trí hàng đầu của mình và cố gắng nâng cao hoạt động kinh doanh sản xuất chip theo hợp đồng và tạo ra một hệ sinh thái tuyệt vời ở Hàn Quốc.

Theo vtv.vn